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특허/실용신안

반도체 장치

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
출원번호 10-2016-0087422
출원일자 2016-07-11
공개번호 20160721
공개일자 0000-00-00
등록번호
등록일자 0000-00-00
권리구분 KUPA
초록 산화물 반도체의 조성 또는 결함제어를 하는 것을 목적의 한가지로 하고, 또한, 박막 트랜지스터의 전계 효과 이동도를 높이고, 오프 전류를 억제하면서 충분한 온오프 비를 얻는 것을 다른 목적의 한가지로 한다. InMO 3 (ZnO) n (m은 Ga, Fe, Ni, Mn, Co 및 Al으로 이루어진 그룹에서 선택된 1개 또는 복수의 원소, n은 1 이상 50 미만의 비정수)이며 수소를 더 포함한다. 이 경우에 있어서, Zn의 농도가 In 및 M(M=Fe, Ga, Ni 및 Al에서 선택된 1개 또는 복수의 원소)보다도 낮게 한다. 또한, 이 산화물 반도체는 아모퍼스 구조를 갖고 있다. 여기에서 n의 값은, 바람직하게는 1 이상 50 미만의 비정수, 더욱 바람직하게는 10 미만의 비정수로 한다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020160087422
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE H01L-029/26,H01L-027/12,H01L-029/45,H01L-029/786
주제어 (키워드)