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반도체 디바이스 및 제조 방법 및 전자 기기

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명	NDSL
출원인	소니 주식회사
출원번호	10-2016-7007061
출원일자	2016-03-17
공개번호	20160609
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	본 개시는, 적층형의 구조를 고정밀도로 제조할 수 있도록 하는 반도체 디바이스 및 제조 방법 및 전자 기기에 관한 것이다. 고체 촬상 소자는, 포토 다이오드가 형성되는 반도체 기판과, 반도체 기판의 포토 다이오드에 대해 적층되는 전송 트랜지스터가 형성되고, 반도체 기판에 대해 결정축이 정돈된 결정층을 성장시킴으로써 형성되는 에피택셜층을 구비한다. 그리고, 에피택셜층을 형성하는 공정의 전후에서의 상대적인 조정을 행하기 위한 맞붙임 측정에 이용하는 맞붙임 측정 마크의 단부에 형성되는 요각부가, 맞붙임 측정 마크를 검출하기 위한 검출 영역부터 소정 거리로서 이간하도록 형성된다. 본 기술은, 예를 들면, 적층형의 구조를 한 다양한 반도체 디바이스에 적용할 수 있다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167007061
첨부파일

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