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특허/실용신안

에칭 후 폴리머의 제거 및 하드마스크 제거의 향상을 위한 방법 및 하드웨어

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
출원번호 10-2016-7015575
출원일자 2016-06-10
공개번호 20160721
공개일자 0000-00-00
등록번호
등록일자 0000-00-00
권리구분 KUPA
초록 기판을 세정하기 위한 방법은, 반도체 제조의 일부분과 같이, 하드마스크의 마스크들 및 폴리머 막들을 가진 세정 기판들을 포함하여 설명된다. 세정 방법들은, 프로세스 가스 혼합물 및 액체 세정 화학물의 UV(ultraviolet)광 노출을 포함한다. 기판 및/또는 프로세스 유체는 자외 방사선에 노출된다. 조사되는 프로세스 가스 혼합물은 산화 가스 혼합물(에어, 클린 건식 에어, 산소, 과산소 등)을 포함할 수 있다. 수소를 가진 환원 가스 혼합물이 또한 조사될 수 있다. 조사된 가스 혼합물로부터의 반응종은, 예컨대 후속 액체 세정 단계를 용이하게 함으로써, 막 특성을 화학적으로 변경시키기 위하여 기판에 노출된다. 기판 표면 상의 액체 세정 화학물이 또한 조사될 수 있다. 이러한 세정 기술은 세정 시간을 단축시키고, 프로세싱 온도를 낮추며, 유전체 층과 같은 하부 또는 중간 층에 대한 손상을 감소시킨다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167015575
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE H01L-021/02,H01L-021/311,H01L-021/3213,H01L-021/67
주제어 (키워드)