에칭 후 폴리머의 제거 및 하드마스크 제거의 향상을 위한 방법 및 하드웨어
기관명 | NDSL |
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출원인 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 |
출원번호 | 10-2016-7015575 |
출원일자 | 2016-06-10 |
공개번호 | 20160721 |
공개일자 | 0000-00-00 |
등록번호 | |
등록일자 | 0000-00-00 |
권리구분 | KUPA |
초록 | 기판을 세정하기 위한 방법은, 반도체 제조의 일부분과 같이, 하드마스크의 마스크들 및 폴리머 막들을 가진 세정 기판들을 포함하여 설명된다. 세정 방법들은, 프로세스 가스 혼합물 및 액체 세정 화학물의 UV(ultraviolet)광 노출을 포함한다. 기판 및/또는 프로세스 유체는 자외 방사선에 노출된다. 조사되는 프로세스 가스 혼합물은 산화 가스 혼합물(에어, 클린 건식 에어, 산소, 과산소 등)을 포함할 수 있다. 수소를 가진 환원 가스 혼합물이 또한 조사될 수 있다. 조사된 가스 혼합물로부터의 반응종은, 예컨대 후속 액체 세정 단계를 용이하게 함으로써, 막 특성을 화학적으로 변경시키기 위하여 기판에 노출된다. 기판 표면 상의 액체 세정 화학물이 또한 조사될 수 있다. 이러한 세정 기술은 세정 시간을 단축시키고, 프로세싱 온도를 낮추며, 유전체 층과 같은 하부 또는 중간 층에 대한 손상을 감소시킨다. |
원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167015575 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
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ICT 기술분류 | |
IPC분류체계CODE | H01L-021/02,H01L-021/311,H01L-021/3213,H01L-021/67 |
주제어 (키워드) |