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반도체 장치

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명	NDSL
출원인	가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
출원번호	10-2016-0072442
출원일자	2016-06-10
공개번호	20160630
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	반도체층을 게이트 전극층, 소스 전극층 및 드레인 전극층 위에 형성하는 경우라도, 소자 특성을 향상시키는 것과 함께, 소자의 신뢰성을 향상시키는 것이 목적의 하나가 된다. 게이트 전극층과, 게이트 전극층 위에 형성된 게이트 절연층과, 게이트 절연층을 개재하여 게이트 전극층의 일부와 중첩하도록 형성된 소스 전극층 및 드레인 전극층과, 게이트 절연층, 소스 전극층 및 드레인 전극층 위에 형성된 반도체층을 갖는 구조에 있어서, 소스 전극층과 드레인 전극층의 사이의 영역에 위치하는 게이트 절연층의 막 두께를 게이트 전극층과 소스 전극층의 사이에 형성된 게이트 절연층 및 게이트 전극층과 드레인 전극층의 사이에 형성된 게이트 절연층의 막 두께보다 얇게 되도록 형성한다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020160072442
첨부파일

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