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반도체 디바이스 및 그 제조 방법

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기관명	NDSL
출원인	후아웨이 테크놀러지 컴퍼니 리미티드
출원번호	10-2016-7017473
출원일자	2016-06-29
공개번호	20160728
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	반도체 디바이스 및 반도체 디바이스 제조 방법이 개시된다. 상기 반도체 디바이스는 제1 실리콘층(110; 210); 상기 제1 실리콘층(110; 210) 상에 위치하고, 윈도(121; 221)를 포함하며, 상기 윈도의 바닥부 수평 사이즈는 20mm를 초과하지 않는, 제1 유전체층(120; 220); 및 상기 제1 유전체층(120; 220) 상에, 그리고 상기 제1 유전체층(120; 220)의 윈도(121; 221) 내에 위치하고, 제1 유전체층(120; 220)의 윈도(121; 221) 내의 상기 제1 실리콘층(110; 210)에 연결되는 III-V 반도체층(130; 230)을 포함한다. 반도체 디바이스의 III-V 반도체층은 관통 전위(threading dislocation)가 없으므로, 성능이 비교적 높다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167017473
첨부파일

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