기업조회

본문 바로가기 주메뉴 바로가기

특허/실용신안

응력 완화층을 가지는 발광 다이오드 및 그 형성방법

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 서울바이오시스 주식회사
출원번호 10-2016-0081740
출원일자 2016-06-29
공개번호 20160707
공개일자 0000-00-00
등록번호
등록일자 0000-00-00
권리구분 KUPA
초록 응력 완화층이 형성된 발광 다이오드 및 이의 제조방법이 개시된다. 제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층이 형성된 발광 구조체 상에 응력 완화층을 포함하는 반사 패턴이 형성된다. 반사 패턴은 반사 금속층, 응력 완화층 및 도전성 장벽층을 가진다. 응력 완화층은 도전성 장벽층의 열팽창계수 이상이고, 반사 금속층의 열팽창계수 이하의 열팽창계수를 가진다. 따라서, 반사 금속층과 도전성 장벽층의 열팽창계수에서 발생되는 응력은 응력 완화층에 의해 흡수된다. 이를 통해 다양한 형태의 발광 다이오드 모듈을 형성할 수 있다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020160081740
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE H01L-033/46,H01L-033/00,H01L-033/08,H01L-033/12,H01L-033/14,H01L-033/20,H01L-033/32,H01L-033/38,H01L
주제어 (키워드)