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자성재 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법

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기관명	NDSL
출원인	제이엑스금속주식회사
출원번호	10-2016-7013879
출원일자	2016-05-25
공개번호	20160630
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	B 의 함유량이 17 at% 이상, 40 at% 이하이고, 잔여가 Co 또는 Fe 에서 선택한 1 종 이상의 원소의 소결체로 이루어지는 자성재 스퍼터링 타깃으로서, 타깃에 B 의 고농도상과 B 의 저농도상이 있고, 그 B 의 고농도상에 그릴 수 있는 최대 내접원의 직경이 15 ㎛ 이상인 것이 1 개 이하인 것을 특징으로 하는 자성재 스퍼터링 타깃을 제공한다. 본 발명의 자성재 스퍼터링 타깃은, B 의 고농도상이 세세하게 분산되어 있고, 그 결과, 타깃의 기계 가공성이 양호해지고, 또한 DC 전원을 구비한 마그네트론 스퍼터 장치에서 스퍼터할 때에, 파티클의 발생이 억제되고, 박막 제조시의 수율이 향상된다는 현저한 효과가 있다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167013879
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