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그래핀-실리콘 양자점 하이브리드 구조를 이용한 포토 다이오드 및 그 제조방법

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기관명	NDSL
출원인	경희대학교 산학협력단
출원번호	10-2014-0108712
출원일자	2014-08-21
공개번호	20151015
공개일자	2015-10-12
등록번호	10-1558801-0000
등록일자	2015-10-01
권리구분	KPTN
초록	실리콘 양자점의 사이즈와, 그래핀의 도핑 농도의 제어를 통하여 광학적 특성 및 전기적 특성을 향상시킨 그래핀-실리콘 양자점 하이브리드 구조를 포함하는 포토 다이오드를 제공한다.본 발명의 그래핀-실리콘 양자점 하이브리드 구조를 포함하는 포토 다이오드는 제작이 용이하고, 대면적 제작이 가능하며 자외선 영역에서 근적외선 영역까지 광검출 대역이 넓고, 선택적으로 흡수 에너지의 조절이 가능하다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KPTN&cn=KOR1020140108712
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