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기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명	NDSL
출원인	가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
출원번호	10-2016-7012664
출원일자	2016-05-13
공개번호	20160609
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	훌륭한 전기적 특성과 높은 신뢰성을 갖는 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치와 높은 생산성을 갖는 반도체 장치를 제조하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.주요점은 게이트 절연막 위에 소스 또는 드레인 전극을 형성한 후, 낮은 저항률의 산화물 반도체층을 소스 또는 드레인 영역으로서 형성하고, 반도체층으로서 산화물 반도체막을 그 위에 형성하는 것이다.산소 과잉 산화물 반도체층이 반도체층으로 사용되고 산소 결핍 산화물 층이 소스 영역 및 드레인 영역으로서 사용되는 것이 바람직하다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167012664
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