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양자 전지의 시험용 반도체 프로브, 시험 장치 및 시험 방법

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기관명	NDSL
출원인	,
출원번호	10-2014-7033618
출원일자	2014-11-28
공개번호	20150212
공개일자	2016-04-12
등록번호	10-1611942-0000
등록일자	2016-04-06
권리구분	KPTN
초록	양자 전지의 제작 프로세스 도중에서의 충전층의 전기적 특성 평가를, 손상시키지 않고 행할 수 있는 반도체 프로브에 의한 양자 전지의 시험 장치 및 시험 방법을 제공한다. 전극(54)과 금속 산화물 반도체(56)를 지지체(52)에 적층하여 구성된 반도체 프로브(50)에, 또한 양자 전지와 같은 재료로 프로브 충전층(58)을 형성하고, 자외선 조사한다. 반도체 프로브(50)에, 양자 전지와 같은 재료로 프로브 충전층(58)을 형성함으로써, 양자 전지의 충전층을 손상시키지 않고 평가가 가능하다. 이 프로브 충전층(58)을 구비한 반도체 프로브(50)를 사용하여, 전압계(64)와 정전류원(62) 또는 방전 저항(66)에 의해, 양자 전지 제작 도중에서의 충전층(18)의 충방전 특성을 측정하는 시험 장치 및 시험 방법을 제공한다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KPTN&cn=KOR1020147033618
첨부파일

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