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유전체 기판 상의 CCTBA 계 CVD CO 핵형성을 개선하기 위한 표면 처리

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기관명	NDSL
출원인	어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
출원번호	10-2016-7009379
출원일자	2016-04-08
공개번호	20160519
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	본 발명의 실시예들은 일반적으로, 배양 지연 없이 유전체 재료 상에 코발트 층을 형성하는 방법에 관한 것이다.CVD를 사용하여 코발트 층을 증착하기 전에, 유전체 재료의 표면이 100 ℃ 내지 250 ℃의 온도에서 전처리된다(pretreated).후속 CVD 코발트 프로세스가 또한 100 ℃ 내지 250 ℃에서 수행되기 때문에, 유전체 재료를 전처리하고 코발트 층을 형성하기 위해 하나의 프로세싱 챔버가 사용된다.프로세싱 단계들의 결합은, 코발트를 증착하기 위한 2개의 프로세싱 챔버들의 사용을 가능하게 한다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167009379
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