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특허/실용신안

하전 입자 빔 리소그래피를 사용하여 패턴들을 형성하는 방법 및 시스템

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 디2에스, 인코포레이티드
출원번호 10-2013-7022194
출원일자 2013-08-22
공개번호 20140210
공개일자 0000-00-00
등록번호
등록일자 0000-00-00
권리구분 KUPA
초록 패턴을 표면 상에 형성할 수 있는 성형 빔 샷 세트가 결정되는 분할 또는 마스크 데이터 준비 또는 광학 근접 보정 또는 근접 효과 보정 또는 마스크 프로세스 보정을 위한 방법 및 시스템이 개시되며, 동일한 노출 패스 내의 복수의 샷들이 중첩되고, 샷 세트로부터의 선량 마진이 계산된다. 패턴을 표면 상에 형성할 수 있는 성형 빔 샷 세트가 결정되는 분할 또는 마스크 데이터 준비 또는 광학 근접 보정 또는 근접 효과 보정 또는 마스크 프로세스 보정을 위한 방법 및 시스템이 개시되며, 샷 세트는 상이한 조사량들을 패턴의 상이한 부분들에 제공하고, 샷 세트로부터의 선량 마진이 계산된다. 패턴들을 표면 상에 형성하는 방법이 또한 개시된다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020137022194
첨부파일

추가정보

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과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE
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