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확률론적 방법에 의해 노광될 패턴에 대하여 디콘볼루션을 사용하여 전자 근접 효과를 보정 하기 위한 방법

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기관명	NDSL
출원인	,
출원번호	10-2014-7008544
출원일자	2014-03-31
공개번호	20140620
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	본 발명은 약 수십 나노 미터의 임계 치수의 방사선에 의해 리소그래피 방식으로 적용된다. 본 발명의 방법은 가능한 도스(dose) 변조 및 기하학적 보정의 조합 최적화에 의해 근접 효과 보정을 수행할 수 있다. 따라서 에칭될 패턴의 디콘볼루션(deconvolution)은 조합 확률 분포에 의해 레진(resined) 지지부 방사선의 상호 작용을 모델링하는 반복 절차에 의해 수행된다. 상기 지지 노광 툴이 형성된 빔(formed-beam) 타입인 경우, 바람직하게는, 에칭될 패턴이 대조 수준으로 분할 된 다음 디콘볼루션 이미지가 노광 단계를 수행하기 전에 벡터화되고 파단 된다. 유익한 실시 예에서, 본 발명의 방법은 멀티-패스 세포 투영 방식으로 노광되는 적어도 두 개의 문자 셀에 적용된다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020147008544
첨부파일

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