| 초록 |
본 발명은, 저온에서 기판에 직성장 하는 저온 기판 직성장 그래핀의 제조방법을 제공한다. 또한 본 발명은, 단일층 또는 멀티층 그래핀의 제조방법을 제공한다. 또한 본 발명은, 기판에 직성장 하는 멀티층 그래핀의 제조방법을 제공한다. 또한 본 발명은, 탄소용해층 상부에 균일하게 분포된 단일층 그래핀을 제공한다. 또한 본 발명은, 멀티층 그래핀 성장 후, 에너지원을 조사하여 단일층 그래핀이나 멀티층 그래핀을 제조하는 방법을 제공한다. 또한 본 발명은, 그래핀 원자층이 식각되는 그래핀 제조방법을 제공한다. 또한 본 발명은, 1) 그래핀 및 그래핀과 연결되는 회로를 구비하는 그래핀굽힘회로 웨이퍼와 그래핀굽힘회로웨이퍼를 조절하는 장벽조정회로(CMOS웨이퍼)와의 페이스 투 페이스 결합방법, 2). 그래핀 및 그래핀과 연결되는 회로를 구비하는 그래핀굽힘회로 웨이퍼 및 장벽조정회로와 CMOS웨이퍼와의 페이스 투 페이스 결합방법, 3) 그래핀 및 그래핀과 연결되는 회로를 구비하는 그래핀굽힘회로 웨이퍼와 CMOS웨이퍼와의 페이스 투 페이스 결합방법 그 이후, 장벽조정회로 또는 장벽조정회로 및 CMOS 회로 또는/및 디바이스, 트랜지스터, 등을 구비하는 제조방법, 로 구성되는 1) 내지 3) 의 제조방법을 구비하는 그래핀 굽힘 트랜지스터를 제공한다. 또한 본 발명은, 단일층 또는 멀티층 그래핀의 제조방법, 그래핀 원자층이 식각되는 그래핀 제조방법, 페이스 투 페이스 결합방법, 저온 기판 직성장 그래핀의 제조방법, 중 하나 이상 선택되는 것을 수행하여 제조하는 그래핀 굽힘 트랜지스터 또는 상기 그래핀 굽힘 트랜지스터를 구비하는 전자부품을 제공한다. 또한, 본 발명에 따르면, 대기 전력 문제를 하나 이상의 쇼키 장벽(Schottky Barrier)의 높이, Fermi level(페르미레벨)의 높이, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, Piezo(피에조) 특성을 갖는 그래핀, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하여 해결하면 종래의 트랜지스터보다 100배 이상 처리속도가 빠른 그래핀 굽힘 트랜지스터를 제공한다. 또한, 본 발명에 따르면, 대기 전력 문제를 하나 이상의 쇼키 장벽(Schottky Barrier)의 높이, Fermi level(페르미레벨)의 높이, 중 하나 이상 선택되는 것을 그래핀을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 이용하여 Work function(일함수)을 하나 이상 조절하여 해결하면 종래의 트랜지스터보다 100배 이상 처리속도가 빠른 그래핀 굽힘 트랜지스터를 제공한다. |
