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SiOx 스위칭 디바이스 성능의 향상을 위한 다공성 SiOx 물질

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기관명	NDSL
출원인	윌리엄 마쉬 라이스 유니버시티
출원번호	10-2016-7016228
출원일자	2016-06-17
공개번호	20160728
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	메모리 또는 스위치와 같은 다공성 디바이스는 상부 전극 및 하부 전극을 제공할 수 있고, 메모리 물질층(예컨대, SiO x )이 이 전극들 사이에 배치된다. 메모리 물질층은 나노 다공성 구조물을 제공할 수 있다. 일부 실시예들에서, 나노 다공성 구조물은, 예컨대, 양극 에칭으로 전기 화학적으로 형성될 수 있다. 메모리 물질층을 통한 필라멘트의 전기 주조는 매우 낮은 전기 주조 전압에서 에지에서보다 물질층을 통해 내부에서 발생할 수 있다. 다공성 메모리 디바이스는 또한 다중 비트 저장, 높은 ON-OFF 비율, 장시간의 고온 수명, 우수한 사이클 내구력, 빠른 스위칭, 및 낮은 소비 전력을 제공할 수 있다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167016228
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