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특허/실용신안

마이크로전자 디바이스들 및 그 전구체를 제조하기 위하여 산성 케미스트리들을 사용할 때의 향상된 챔버 세정

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 티이엘 에프에스아이, 인코포레이티드
출원번호 10-2016-7015444
출원일자 2016-06-10
공개번호 20160721
공개일자 0000-00-00
등록번호
등록일자 0000-00-00
권리구분 KUPA
초록 본 발명은 산성 케미스트리들로 처리되는 웨이퍼 표면들 상의 오염을 감소시키는 처리 정책들을 제공한다.정책들은 민감성 마이크로전자 피쳐들 또는 그 전구체들을 포함하는 것들을 포함하는, 광범위한 웨이퍼들과 함께 사용하기에 적합하다.이들 정책들은 오염의 원인일 수 있는, 다른 프로세싱 챔버 표면들로부터 뿐 아니라 워크피스(들)의 전면으로부터의 잔여 산 및 산성 부산물들을 빠르고 효과적으로 제거하는 중성화 및 린싱 정책들의 결합을 수반한다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167015444
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE C11D-011/00,B08B-009/08,C11D-007/08,C11D-007/10,C11D-007/32,H01L-021/02,H01L-021/67
주제어 (키워드)