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셀 스트링 및 이를 이용한 어레이

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기관명	NDSL
출원인	서울대학교산학협력단
출원번호	10-2013-0117362
출원일자	2013-10-01
공개번호	20141023
공개일자	2014-10-22
등록번호	10-1452836-0000
등록일자	2014-10-14
권리구분	KPTN
초록	본 발명은 신경 모방 기술을 구현할 수 있는 셀 스트링에 관한 것이다. 상기 셀 스트링은, 반도체 기판위에 형성된 담장형 반도체에 둘 이상의 셀 소자가 직렬로 연결되도록 구성된다. 각 셀 소자들은, 반도체 기판, 제1, 제2 및 제3 반도체층이 적층된 담장형 반도체, 담장형 반도체가 형성되지 않은 반도체 기판위에 형성된 격리 절연막, 담장형 반도체의 상부 표면 및 측벽에 형성된 스택 구조의 게이트 절연막, 및 게이트 절연막위에 형성된 제어 전극을 구비한다. 각 셀 소자의 담장형 반도체의 제3 및 제2 반도체는 게이티드 다이오드를 구성하며, 제1, 제2 및 제3 반도체층와 제어 전극은 MOS 트랜지스터 또는 비휘발성 트랜지스터를 구성한다.본 발명에 따른 셀 스트링은, 게이티드 다이오드 구조를 이용하여 흥분 전달 기능을 모방하며, MOS 트랜지스터 또는 비휘발성 트랜지스터 구조를 이용하여 억제 기능을 모방함으로써, 시냅스의 다양한 기능들을 모델링할 수 있게 된다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KPTN&cn=KOR1020130117362
첨부파일

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