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패턴 형성 방법, 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 전자 디바이스의 제조 방법, 및, 전자 디바이스

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기관명	NDSL
출원인	후지필름 가부시키가이샤
출원번호	10-2016-7017683
출원일자	2016-07-01
공개번호	20160721
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	본 발명은, (A) 산의 작용에 의하여 극성이 증대되어 유기 용제를 포함하는 현상액에 대한 용해도가 감소하는 수지, (B) 특정 활성광선 또는 방사선의 조사에 의하여 산을 발생하는 화합물, 및 (C) 용제를 포함하는 감활성광선 또는 감방사선성 수지 조성물을 이용하여, 막을 형성하는 공정, 그 막을 노광하는 공정, 그리고 노광된 막을 유기 용제를 포함하는 현상액을 이용하여 현상하는 공정을 포함하는 패턴 형성 방법으로서, 수지 (A)가, 극성기가 산의 작용에 의하여 분해하여 탈리하는 탈리기로 보호된 구조를 갖고, 탈리기가 하기 일반식 (I)로 나타나는 기인, 패턴 형성 방법에 관한 것이다. [화학식 1]
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167017683
첨부파일

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