광전 반도체칩
기관명 | NDSL |
---|---|
출원인 | 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 |
출원번호 | 10-2016-7017756 |
출원일자 | 2016-07-01 |
공개번호 | 20160721 |
공개일자 | 0000-00-00 |
등록번호 | |
등록일자 | 0000-00-00 |
권리구분 | KUPA |
초록 | 광전 반도체칩(1)의 적어도 일 실시예에서, 광전 반도체칩은 질화물 물질계를 기초로 하며, 적어도 하나의 활성 양자 우물(2)을 포함한다.적어도 하나의 활성 양자 우물(2)은 구동 시 전자기 복사를 생성하도록 설계된다.또한, 적어도 하나의 활성 양자 우물(2)은 반도체칩(1)의 성장 방향(z)에 대해 평행한 방향에서 연속하여 이어진 N개의 영역들(A)을 포함하고, 이 때 N은 2이상의 자연수이다.활성 양자 우물(2)의 영역들(A) 중 적어도 2개의 영역은 서로 다른 평균 인듐 함량(c)을 가진다. |
원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167017756 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
---|---|
ICT 기술분류 | |
IPC분류체계CODE | H01L-033/06,H01L-031/0328,H01L-031/0336,H01L-031/072,H01L-031/109,H01S-005/34,H01S-005/343 |
주제어 (키워드) |