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공급 전압 바이어스 회로에 의한 정적 랜덤 액세스 메모리(SRMA)에서의 프로세스 허용 전류 누설 감소

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기관명	NDSL
출원인	퀄컴 인코포레이티드
출원번호	10-2016-7017744
출원일자	2016-07-01
공개번호	20160714
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	메모리 디바이스 바이어싱 회로가 개시되며, 회로는, 메모리 디바이스를 활성 모드에서 동작시키기에 적합한 공급 전압 레벨을 갖는 공급 전압을 수신하도록 커플링되고, 그리고 메모리 디바이스를 데이터 유지 모드에서 동작시키기 위한 최소 전압 레벨보다 더 큰 조정가능한 바이어싱된 전압을 메모리 디바이스에 제공하도록 동작가능한 일 쌍의 반도체 디바이스들을 갖는다.일 쌍의 반도체 디바이스들은, 제 1 반도체 디바이스 및 제 2 반도체 디바이스를 포함하며, 제 2 반도체 디바이스는, 일 쌍의 반도체 디바이스들이 N-타입 반도체 디바이스 및 P-타입 반도체 디바이스 각각을 포함하도록 제 1 반도체 디바이스와 반대 타입의 반도체 디바이스를 포함한다.메모리 디바이스 바이어싱 회로는 추가로, 제 2 반도체 디바이스에 커플링되고 공급 전압에 기초하여 제 2 반도체 디바이스의 동작을 조절하도록 구성되는 바이어스 조절 회로를 포함한다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167017744
첨부파일

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