탄화규소용 층 전사 기술
기관명 | NDSL |
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출원인 | , |
출원번호 | 10-2016-7017717 |
출원일자 | 2016-07-01 |
공개번호 | 20160811 |
공개일자 | 0000-00-00 |
등록번호 | |
등록일자 | 0000-00-00 |
권리구분 | KUPA |
초록 | 탄화규소 층을 포함하는 소자 및 그러한 소자를 만들기 위한 방법이 개시된다. 방법은 양성자가 주입된 제1 탄화규소 웨이퍼를 획득하는 단계; 제1 탄화규소 웨이퍼 위에 스핀-온-글라스의 제1 층을 도포하는 단계; 제1 반도체 기판을 획득하는 단계; (ⅰ) 스핀-온-글라스의 제1 층을 (ⅱ) 제1 반도체 기판에 접합하는 단계; 및 탄화규소의 제1 층이 제1 반도체 기판 위에 남아 있도록 제1 탄화규소 웨이퍼의 스플리팅을 개시하기 위해서 제1 탄화규소 웨이퍼를 가열하는 단계를 포함한다. 반도체 소자는 반도체 기판; 반도체 기판 위에 위치되는 스핀-온-글라스의 제1 층; 스핀-온-글라스의 제1 층 위에 위치되는 탄화규소의 제1 층; 탄화규소의 제1 층 위에 위치되는 스핀-온-글라스의 제2 층; 및 스핀-온-글라스의 제2 층 위에 위치되는 탄화규소의 제2 층을 포함한다. |
원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167017717 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
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ICT 기술분류 | |
IPC분류체계CODE | H01L-029/36,H01L-021/02,H01L-021/324,H01L-029/16 |
주제어 (키워드) |