| 초록 |
본 발명은 그래핀의 굴곡지는 특성을 이용하여 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자, 중 선택되는 것을 그래핀의 하단부에 하나 이상 구비하여, 그래핀 회로와 교차되는 장벽조정회로의 전압으로 인하여 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자, 중 선택되는 것이 하나 이상의 그래핀을 하나 이상의 굽힘변형으로, 전기의 On/Off를 조절하되, b. 하나 이상의 그래핀과 드레인전극 사이에 하나 이상의 그래핀의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 조절하는 것을 구비하여 전기의 On/Off를 조절하는 것; 을 구비하는 것을 특징으로 하는 그래핀의 하나 이상의 굽힘변형을 구비하여 전기의 On/Off를 조절하는 트랜지스터를 제공한다. 또한, 본 발명은 그래핀 회로와 교차되는 장벽조정회로의 전압으로 인하여, 상기 장벽조정회로의 하부에 구비되는 하나 이상의 그래핀을 하나 이상의 굽힘변형으로, 전기의 On/Off를 조절하되, 하나 이상의 그래핀과 드레인전극 사이에 하나 이상의 그래핀의 Fermi level(페르미레벨)의 높이를 조절하는 것을 구비하여 전기의 On/Off를 조절하는 것; 을 구비하는 것을 특징으로 하는 그래핀의 하나 이상의 굽힘변형을 구비하여 전기의 On/Off를 조절하는 트랜지스터를 제공한다. 또한, 본 발명은 그래핀의 굴곡지는 특성을 이용하여 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자, 중 선택되는 것을 그래핀의 하단부에 하나 이상 구비하여, 그래핀 회로와 교차되는 장벽조정회로의 전압으로 인하여 하나 이상의 Piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자, 중 선택되는 것이 하나 이상의 그래핀과 절연층을 하나 이상의 굽힘변형으로 구비하되, a. 전자가 절연층 상에 터널, 및 b. 터널이 드레인 전극 상에 위치(tunnel onto the drain electrode), 및 c. (inelastically)비탄성적으로 산란 및 드레인 전극의 페르미 레벨 에 도달하는 것; 을 구비하는 것을 특징으로 하는 그래핀 단일 전자 트랜지스터를 제공한다. |
