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특허/실용신안

자기 메모리 소자 및 그것을 이용하는 기억 장치

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 아이아이아이 홀딩스 3, 엘엘씨
출원번호 10-2016-7007313
출원일자 2016-03-18
공개번호 20160414
공개일자 0000-00-00
등록번호
등록일자 0000-00-00
권리구분 KUPA
초록 본 발명의 목적은 자기 메모리 소자를 미세화하더라도 자화의 열안정성을 확보하는 것이다.자기 메모리 소자는 제1 자성층(22), 그 제1 자성층(22) 위에 형성된 절연층, 그 절연층(21) 위에 형성된 제2 자성층(20)을 포함한다.제1 자성층(22)과 제2 자성층(20) 중 적어도 하나는, 제1 자성층(22) 또는 제2 자성층(20)의 자화 용이축 방향으로 연장되도록 왜곡 변형되거나 또는 제1 자성층 및 제2 자성층 중 적어도 하나의 면내에 어느 한쪽 방향으로 압축 응력(101)이 잔류한다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167007313
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE H01L-043/02,H01L-027/115,H01L-043/10,H01L-043/12
주제어 (키워드)