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특허/실용신안

금속 산화물막의 제조 방법, 금속 산화물막, 박막 트랜지스터, 표시 장치, 이미지 센서 및 X선 센서

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 후지필름 가부시키가이샤
출원번호 10-2016-7007361
출원일자 2016-03-21
공개번호 20160428
공개일자 0000-00-00
등록번호
등록일자 0000-00-00
권리구분 KUPA
초록 본 발명은, 금속 질산염을 포함하는 용액을 기판 상에 도포하고, 도포막을 건조하여 금속 산화물 전구체막을 형성하는 공정과, 금속 산화물 전구체막을 금속 산화물막으로 전화하는 공정을 교대로 N회(N≥2) 반복하는 것을 포함하며, (n-1)회째(2≤n≤N)에 금속 산화물 전구체막을 형성하는 공정에 이용하는 금속 질산염을 포함하는 용액의 금속 몰 농도를 C n -1 (mol/L), n회째에 금속 산화물 전구체막을 형성하는 공정에 이용하는 금속 질산염을 포함하는 용액의 금속 몰 농도를 C n (mol/L)으로 했을 때에, 1 gt;(C n /C n - 1 )의 관계를 충족하는 적어도 2회의 공정을 포함하는 금속 산화물막의 제조 방법 및 이것에 의하여 제조된 금속 산화물막 그리고 그것을 구비한 디바이스를 제공한다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167007361
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE H01L-021/02,H01L-027/146,H01L-027/32,H01L-029/51,H01L-029/66,H01L-029/786
주제어 (키워드)