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특허/실용신안

산화물 반도체 박막의 평가 방법 및 산화물 반도체 박막의 품질 관리 방법, 및 상기 평가 방법에 사용되는 평가 소자 및 평가 장치

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 가부시키가이샤 고베 세이코쇼
출원번호 10-2016-7010141
출원일자 2016-04-19
공개번호 20160519
공개일자 2016-08-10
등록번호 10-1647618-0000
등록일자 2016-08-04
권리구분 KPTN
초록 본 발명은 산화물 반도체 박막의 전기 저항률을, 정확하고 또한 간편하게 측정하여, 평가·예측·추정하는 방법 및 산화물 반도체의 품질 관리 방법을 제공한다.본 발명에 관한 산화물 반도체 박막의 평가 방법은, 산화물 반도체 박막이 형성된 시료에 여기 광 및 마이크로파를 조사하고, 상기 여기 광의 조사에 의해 변화되는 상기 마이크로파의 상기 산화물 반도체 박막으로부터의 반사파의 최대값을 측정한 후, 상기 여기 광의 조사를 정지하고, 상기 여기 광의 조사 정지 후의 상기 마이크로파의 상기 산화물 반도체 박막으로부터의 반사파의 반사율 변화를 측정하는 제1 공정과, 상기 반사율의 변화로부터, 여기 광의 조사 정지 후에 보이는 느린 감쇠에 대응하는 파라미터를 산출하여, 상기 산화물 반도체 박막의 전기 저항률을 평가하는 제2 공정을 포함한다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KPTN&cn=KOR1020167010141
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE H01L-021/66,G01N-022/00,H01L-029/786
주제어 (키워드)