웨이퍼 레벨 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법
기관명 | NDSL |
---|---|
출원인 | 서울반도체 주식회사 |
출원번호 | 10-2016-0080412 |
출원일자 | 2016-06-27 |
공개번호 | 20160714 |
공개일자 | 0000-00-00 |
등록번호 | |
등록일자 | 0000-00-00 |
권리구분 | KUPA |
초록 | 웨이퍼 레벨 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법이 개시된다. 이 발광 다이오드 패키지는, 제1 도전형 상부 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 하부 반도체층을 포함하는 반도체 적층 구조체; 제2 도전형 하부 반도체층 및 활성층을 관통하여 제1 도전형 상부 반도체층을 노출시키는 복수개의 콘택홀들; 반도체 적층 구조체 아래에 위치하고, 복수개의 콘택홀들에 노출된 제1 도전형 상부 반도체층에 전기적으로 접속된 제1 범프; 반도체 적층 구조체 아래에 위치하고, 제2 도전형 하부 반도체층에 전기적으로 접속된 제2 범프; 및 반도체 적층 구조체의 측벽을 덮는 보호 절연층을 포함한다. |
원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020160080412 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
---|---|
ICT 기술분류 | |
IPC분류체계CODE | H01L-027/15,H01L-033/10,H01L-033/22,H01L-033/24,H01L-033/38,H01L-033/46,H01L-033/48,H01L-033/50 |
주제어 (키워드) |