방사선 이미지 센서
기관명 | NDSL |
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출원인 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 |
출원번호 | 10-2016-7016388 |
출원일자 | 2016-06-20 |
공개번호 | 20160818 |
공개일자 | 0000-00-00 |
등록번호 | |
등록일자 | 0000-00-00 |
권리구분 | KUPA |
초록 | 방사선 이미지 센서(1A)는 전하 발생부(4)와, 전하 발생부(4)에서 발생한 전하를 축적하고 전송하는 회로 기판(3)을 구비한다. 회로 기판(3)은 반도체 기판(10)과, 전하 발생부(4)에서 발생한 전하를 축적하는 용량부(5)와, 반도체 기판(10) 위에 배치되어 있는 MOS형 트랜지스터(7)를 가진다. MOS형 트랜지스터(7)는 용량부(5)에 접속되어 있는 일단과, 전하를 전송하기 위한 배선에 접속되어 있는 타단을 포함한다. 용량부(5)는 반도체 기판(10)의 일부 영역(10b)과, 일부의 영역(10b) 위에 배치됨과 아울러 전하 발생부(4)와 전기적으로 접속된 도전체층(31)과, 일부의 영역(10b)과 도전체층(31)의 사이에 끼어 있는 절연층(22)을 포함한다. |
원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167016388 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
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ICT 기술분류 | |
IPC분류체계CODE | |
주제어 (키워드) |