고분자 절연체와 나노 플로팅 게이트를 이용한 비휘발성 유기 메모리 장치 및 그 제조방법
기관명 | NDSL |
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출원인 | 광주과학기술원 |
출원번호 | 10-2014-0145064 |
출원일자 | 2014-10-24 |
공개번호 | 20160510 |
공개일자 | 0000-00-00 |
등록번호 | |
등록일자 | 0000-00-00 |
권리구분 | KUPA |
초록 | 유기전계효과 트랜지스터 기반 비휘발성 메모리 장치에 있어서, 유기물 반도체층 및 게이트 절연층을 포함하며, 상기 유기물 반도체층 및 게이트 절연층 사이에는 고분자 전하 저장층과 나노 입자 플로팅 게이트층의 이중층을 더 포함하는 비휘발성 유기 메모리 장치 및 그 제조방법이 제공된다. 본 발명에 따르면, 신뢰성이 높고, 데이터 소거 및 저장 능력이 탁월하며, 고집적도의 비휘발성 메모리 소자를 제공할 수 있으며, 유연한 기판에 소자를 형성함으로써 경량화, 소형화 및 저비용화를 도모할 수 있다. |
원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020140145064 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
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ICT 기술분류 | |
IPC분류체계CODE | H01L-051/05,H01L-051/30,H01L-051/40 |
주제어 (키워드) |