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사이리스터 메모리 셀 집적회로

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기관명	NDSL
출원인	,
출원번호	10-2016-7004793
출원일자	2016-02-24
공개번호	20160407
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	본 발명의 반도체 메모리 디바이스는 기판상에 형성된 메모리 셀들(MC)의 어레이를 포함하고, 각 메모리 셀은 MC가 저장한 휘발성 비트 값을 나타내는 상태를 갖는 스위칭 가능한 전류 경로를 한정하는 부하 요소 및 사이리스터로 구현된다. 어레이의 각 행에 대응하는 적어도 하나의 워드 라인은 기판상에 형성되고,대응하는 행에 대해 MC 전류 경로들에 접속된다. 어레이의 각 열들에 대응하는 비트 라인들은 기판상에 형성되고, 대응하는 열에 대해 MC 사이리스터들의 변조 도핑된 QW 계면에 접속될 수 있다. 회로는, 비휘발성 백업 및 복원 목적들을 위해 MC들의 전류 경로의 상태에 따라 MC 부하 요소들의 상 변화 재료를 높거나 낮은 저항 상태로 프로그램하는 전류를 생성하기 위하여, 워드 라인(들)에 전기 신호를 인가하도록 구성된다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167004793
첨부파일

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