| 초록 |
실리콘(Si) 기판을 이용한 발광다이오드의 제조방법이 제공된다. 상세하게는, 실리콘(Si) 기판 상에 AlN 버퍼층을 형성하는 단계, 및 상기 AlN 버퍼층 상에 n형 질화물층, 활성층, 및 p형 질화물층이 순차적으로 적층된 질화물계 발광구조물을 형성하는 단계를 포함하는 것으로, 상기 AlN 버퍼층은, 암모니아(NH3)가스 및 트리메틸 알루미늄(TMAl) 가스를 이용하여 형성하는 것이며, 상기 암모니아(NH3)가스를 펄스(pulse)방식 및 연속방식으로 공급하는 것을 특징으로 하는 실리콘(Si) 기판을 이용한 발광다이오드의 제조방법을 제공할 수 있다. 본 발명에 따르면, 실리콘 기판 상에 암모니아 가스를 펄스 방식 및 연속방식으로 공급하여 AlN 버퍼층 형성함으로써, 알루미늄(Al) 원자의 이동도를 향상시킬 수 있다. 또한, AlN 결정핵 그룹을 형성하고, 이를 증대시켜 AlN 결정핵 그룹층을 형성함으로써, 관통전위 밀도를 감소시킬 수 있다. 아울러, 실리콘 기판 상에 고품위의 AlN 버퍼층을 형성함으로써, 상기 AlN 버퍼층 상에 형성되는 질화물계 발광구조물 또한 고품위로 형성할 수 있어, 발광다이오드의 효율을 향상시킬 수 있다. |
