GAN-기반 광전자 및 전자 장치를 위한 산소 제어된 PVD ALN 버퍼
기관명 | NDSL |
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출원인 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 |
출원번호 | 10-2015-7028842 |
출원일자 | 2015-10-13 |
공개번호 | 20151126 |
공개일자 | 0000-00-00 |
등록번호 | |
등록일자 | 0000-00-00 |
권리구분 | KUPA |
초록 | GaN-기반 광전자 및 전자 장치를 위한 산소 제어된 PVD AlN 버퍼가 개시된다.산소-제어된 방식으로 GaN-기반 광전자 및 전자 장치를 위한 PVD AlN 버퍼를 형성시키는 방법이 또한 개시된다.예로서, GaN-기반 광전자 또는 전자 장치를 위한 알루미늄 니트라이드(AlN) 버퍼 층을 형성시키는 방법은 기판 상에 AlN 층을 반응성 스퍼터링시킴을 포함하고, 반응성 스퍼터링은 질소-함유 가스 또는 질소-함유 가스를 기반으로 한 플라즈마와 물리 기상 증착(PVD) 챔버에 수용된 알루미늄-함유 타겟을 반응시킴을 포함한다.이러한 방법은 산소를 AlN 층에 도입함을 추가로 포함한다. |
원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020157028842 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
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ICT 기술분류 | |
IPC분류체계CODE | H01L-033/12,H01J-037/32,H01J-037/34,H01L-021/203,H01L-031/18,H01L-033/00 |
주제어 (키워드) |