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특허/실용신안
핵 생성 동역학 조절을 이용한 2차원 전이금속-칼코겐 화합물의 제조 방법
특허 실용신안 개요
| 기관명 | NDSL |
|---|---|
| 출원인 | , |
| 출원번호 | 10-2015-0117869 |
| 출원일자 | 2015-08-21 |
| 공개번호 | 20151112 |
| 공개일자 | 2015-11-09 |
| 등록번호 | 10-1564241-0000 |
| 등록일자 | 2015-10-23 |
| 권리구분 | KPTN |
| 초록 | 본 발명은 핵 생성 동역학 조절을 이용한 2차원 전이금속-칼코겐 화합물의 제조 방법을 공개한다. 이 방법의 제1 실시예는 (A) 제1 전이금속-칼코겐 화합물의 단일 원자층이 제1 온도에서 실리콘 산화물 기판 상에 성장되는 단계; (B) 제2 전이금속-칼코겐 화합물의 단일 원자층이 상기 제1 전이금속-칼코겐 화합물 상에 합체되어 상기 제1 전이금속-칼코겐 화합물의 가장자리에서부터 상기 제2 전이금속-칼코겐 화합물의 핵 생성이 시작되는 단계; (C) 제2 온도에서 순차적 단일층 결정화에 의해 이종 수평 스티칭 성장이 이루어져 상기 제2 전이금속-칼코겐 화합물이 상기 실리콘 산화물 기판 상에 수평 방향으로 성장되는 단계; 및 (D) 상기 수평 방향으로 성장된 제2 전이금속-칼코겐 화합물의 단결정이 합체되어 화학 반응이 일어나 다결정의 단일 원자층 박막을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의할 경우, 순차적인 기상 성장동안 2차원 핵 생성 동력학의 조작에 의해 이종 2차원 적층 및 스티칭 단일층을 제공하여 층간 회전 부정합 없이 육각-온-육각 단위 셀 스택과 육각-바이-육각 스티칭을 제조함으로써 최종 크기 제한에서 정확하게 제어되는 대면적의 새로운 전자 및 광학 반도체 플랫폼 제공이 가능하게 된다. |
| 원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KPTN&cn=KOR1020150117869 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| IPC분류체계CODE | C01B-017/20,C01G-039/04,C01G-041/00,H01L-021/28 |
| 주제어 (키워드) |