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특허/실용신안

반도체 장치, 표시 장치, 및 전자 장비

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
출원번호 10-2016-7020272
출원일자 2016-07-25
공개번호 20160808
공개일자 0000-00-00
등록번호
등록일자 0000-00-00
권리구분 KUPA
초록 안정된 전기 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 포함하는 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제공하는 것이 목적이다. 높은 양산성과 저비용으로 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제조하는 것이 또 다른 목적이다. 채널 형성 영역과 소스 영역 및 드레인 영역을 갖는 반도체층이 산화물 반도체층을 이용하여 형성되는 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 산화물 반도체층의 순도를 개선하고 수분과 같은 불순물을 저감하는 열 처리(탈수화 또는 탈수소화를 위한 열 처리)가 수행된다. 게다가, 열 처리가 수행된 산화물 반도체층은 산소 분위기하에서 서랭된다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167020272
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE H01L-029/66,H01L-027/12,H01L-029/786
주제어 (키워드)