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특허/실용신안

결정질 실리콘 태양 전지들을 패시베이팅하기 위한 진보된 플랫폼

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
출원번호 10-2014-7020017
출원일자 2014-07-17
공개번호 20141002
공개일자 0000-00-00
등록번호
등록일자 0000-00-00
권리구분 KUPA
초록 본 발명은 일반적으로, 태양 전지 디바이스의 하나 또는 그 초과의 영역들을 형성하는 데에 이용되는, 높은 처리량의 기판 프로세싱 시스템을 제공한다.프로세싱 시스템의 하나의 구성에 있어서, 높은 처리량의 기판 프로세싱 시스템 내에 포함되는 하나 또는 그 초과의 프로세싱 챔버들 내에서 하나 또는 그 초과의 태양 전지 패시베이팅 또는 유전체 층들이 증착되고 추가로 프로세싱된다.프로세싱 챔버들은, 예를 들어, 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD) 챔버들, 저압 화학 기상 증착(LPCVD) 챔버들, 원자 층 증착(ALD) 챔버들, 물리 기상 증착(PVD) 또는 스퍼터링 챔버들, 열 프로세싱 챔버들(예를 들어, RTA 또는 RTO 챔버들), 기판 재배향 챔버들(substrate reorientation chambers)(예를 들어, 플립핑 챔버들(flipping chambers)) 및/또는 다른 유사한 프로세싱 챔버들일 수 있다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020147020017
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE H01L-031/18,H01L-031/042,H01L-031/0216
주제어 (키워드)