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특허/실용신안

선택적 에피택셜 성장된 III-V족 재료 기반 디바이스

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 인텔 코포레이션
출원번호 10-2015-7032315
출원일자 2015-11-11
공개번호 20160512
공개일자 0000-00-00
등록번호
등록일자 0000-00-00
권리구분 KUPA
초록 제1 III-V족 재료 기반 버퍼층은 실리콘 기판 상에 퇴적된다.제2 III-V족 재료 기반 버퍼층은 제1 III-V족 재료 기반 버퍼층 상에 퇴적된다.III-V족 재료 기반 디바이스 채널층은 제2 III-V족 재료 기반 버퍼층 상에 퇴적된다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020157032315
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE H01L-029/66,H01L-021/02,H01L-029/78
주제어 (키워드)