| 초록 |
메모리 장치 웨이퍼를 제조하기 위해 기판 표면 상에 등각 상변화 물질 막을 형성하는 증착(deposition) 방법은, 증착 시스템의 챔버에 기판을 제공하는 단계; 제 1 열원을 갖는 활성화 영역을 제공하되, 상기 활성화 영역 및 상기 제 1 열원이 상기 챔버의 내부 또는 외부에 위치하는, 단계; 하나 이상의 전구체를 상기 기판의 상류에서 상기 챔버에 도입하는 단계; 선택적으로, 하나 이상의 보조-반응물을 상기 기판의 상류에 도입하는 단계; 상기 하나 이상의 전구체를 상기 제 1 열원과 접촉시킴으로써 상기 하나 이상의 전구체를 활성화시키는 단계; 제 2 열원을 사용하여 상기 기판을 가열하는 단계; 화학 증착에 의해 상기 하나 이상의 전구체로부터 상기 상변화 물질 막을 상기 기판 상에 증착시키는 단계를 포함한다.이렇게 증착된 상변화 물질 막은 Ge x Sb y Te z A m 을 포함하고, 이때 A는 도판트 원소인 N, C, In, Sn 및 Se의 군 중에서 선택된 도판트이다.하나의 수행에서, 상기 방법을 수행하여 탄소 및 질소로 도핑된 GST 필름을 형성하고, 상기 필름에 유리한 막 성장 및 성능 특성들을 부여한다. |
