| 초록 |
본 발명은 매립 회로 층(2)을 전달하기 위한 프로세스에 관한 것이다. 이 프로세스는 이하의 단계들을 포함한다는 점에서 주목할 만하다.: - 식각 정지 영역(7, 7')을 내부적으로 포함하고 전면으로 지칭되는 그것의 면들(12) 중 하나 위로 회로 층(2)이 덮이는 도너 기판(1)을 마련하는 단계, - 도너 기판(1, 1')의 전체 원주 상으로, 회로 층(2)으로 덮인 그것의 면 상에, 이 기판의 측방향 에지(13)로부터 일 거리에서 연장되는 주변 트렌치(3) 또는 주변 라우팅(3')을 생성하는 단계로서, 이 라우팅(3') 또는 이 트렌치(3)는 회로 층(2)을 완전히 통과하도록 하는 깊이로 생성되고 도너 기판(1, 1') 내로 연장되는, 단계, - 회로 층(2)의 노출된 면(21) 상에 그리고 라우팅된 면(13') 상에 또는 트렌치(3)의 벽들 상에, 트렌치(3)를 채우지 않고, 제2 정지 층으로 지칭되는, 회로 층(2)의 식각에 대해 선택비를 갖는 정지 물질의 층(4)을 퇴적하는 단계, - 제2 정지 층(4)에 의해 덮이는 면 상에서 수신 기판(5)을 도너 기판(1, 1')으로 본딩하는 단계, - 매립된 회로 층(2)의 수신 기판(5)으로의 전달이 얻어지도록, 식각 정지 영역(7, 7')에 도달할 때까지 그것의 배면(11)을 화학적으로 식각함으로써 도너 기판(1)을 박형화하는 단계. |
