GaAs 기판에 격자 정합되는 다중 양자 우물 구조를 포함하는 광학 소자, 이를 포함하는 깊이 영상 획득 장치 및 3차원 영상 획득 장치
기관명 | NDSL |
---|---|
출원인 | 삼성전자주식회사 |
출원번호 | 10-2013-0151346 |
출원일자 | 2013-12-06 |
공개번호 | 20150618 |
공개일자 | 0000-00-00 |
등록번호 | |
등록일자 | 0000-00-00 |
권리구분 | KUPA |
초록 | 개시된 광학 소자는 GaAs 기판; 상기 GaAs 기판 상에 형성되고, 양자우물층과 양자 장벽층을 구비하는 다중 양자 우물 구조;를 포함하며, 상기 양자우물층은 상기 GaAs 기판보다 밴드갭 에너지가 낮고 상기 GaAs 기판으로부터 압축 응력을 받는 반도체 물질로 이루어지고,상기 양자 장벽층은 상기 GaAs 기판보다 밴드갭 에너지가 높고 상기 GaAs 기판으로부터 인장 응력을 받는 반도체 물질로 이루어진다. |
원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020130151346 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
---|---|
ICT 기술분류 | |
IPC분류체계CODE | H01L-027/146,G01B-011/22,H04N-013/00 |
주제어 (키워드) |