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중이온 가속관의 나이오븀 식각방법

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기관명	NDSL
출원인	,
출원번호	10-2014-0089299
출원일자	2014-07-15
공개번호	20160128
공개일자	2016-03-07
등록번호	10-1600428-0000
등록일자	2016-02-29
권리구분	KPTN
초록	본 발명은 유순한 혼합산 조성물을 이용한 중이온 가속관의 나이오븀 식각방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 중이온 가속기에 적용되는 초전도체 물질의 고순도 나이오븀(Nb) 중이온 가속관에 있어서 금속을 가공이나 가압성형하는 공정 중에 발생된 물리적 결함을 회복시키기 위한 식각액으로 인체 및 환경에 유순하고, 비점이 높은 혼합산(Mixed acids)을 이용하여 화학적 식각방법 내지는 전해연마(Electropolishing) 방법에 의해 나이오븀(Nb)의 물리적 결함을 회복시킴으로써, 기존에 비해 환경친화적이고 바람직한 방법으로 가공이 가능하도록 하는 유순한 혼합산 조성물을 이용한 중이온 가속관의 나이오븀(Nb) 식각방법에 관한 것이다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KPTN&cn=KOR1020140089299
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