| 초록 |
<strong>1. 개요</strong><br /> <br /> 전계효과트랜지스터(FETs; Field Effect Transistors)는 1926년 발명되고 1960년 최초로 구현되어 현대 전자소자의 가장 중요한 요소로 자리잡았다. 트랜지스터는 논리회로, 신호 증폭, 소자 구동과 같은 다양한 기능을 수행할 수 있다. 현대의 전자소자는 MOS-FET의 계속적인 소형화와 수백 기가헤르츠에 이르는 속도를 달성하면서 지속적으로 발전하고 있다. 이러한 성능은 고순도 단결정 기판과 고도로 발전된 공정 기술이 뒷받침하고 있다.<br /> <br /> 하지만 위에서 언급된 단결정 기판과 공정 기술은 다른 분야에서는 한계 요소로 작용할 수 있다. 예를 들어 플렉서블 디스플레이 backplane의 경우 대면적 위에 박막 증착 기술을 활용해 트랜지스터를 증착하고, 특정 곡률을 따라 휘어질 수 있어야 한다. 또한 비정질의 기판 위에 증착이 필요한 경우가 많은데, 가장 대표적인 기술이 액정디스플레이(LCD)로 비정질실리콘 위에 트랜지스터를 구성한다. 고해상도 액정디스플레이 및 유기발광다이오드(OLEDs; Organic Light-Emitting Diodes) 분야는 다결정실리콘 또는 산화물로 이루어진 박막트랜지스터를 활용하고 있다. 이러한 트랜지스터는 전하이동도 및 transition frequency가 높고, 따라서 고성능 디스플레이 구동이 가능하다.<br /> <br /> 유기물 반도체를 이용한 박막 증착은 프린팅 기술로 구현이 가능하기 때문에 하부 기판의 제한이 없고, 무기물 박막 증착 공정과 같이 고온 공정을 요구하지 않는다. 따라서 지난 수십 년간 유기물 박막트랜지스터에 대한 연구가 집중적으로 진행되고 있다. 1986년 Tsumura에 유기물 트랜지스터가 처음 개발된 이후 많은 기술적 진전이 이루어졌다. 전하이동도의 경우 10-5 cm2/V？s에서 100 cm2/V？s까지 향상되었으며, 비정질실리콘을 뛰어넘어 다결정실리콘 및 산화물 소자와 유사한 수준에 도달했다. 하지만 접촉저항 배제와 같이 측정상에 오류가 있는 경우가 존재한다. 여러 논문들에서 보고한 전하이동도의 수치가 실제보다 심각하게 과장되어 발표되고 있는 것이다. 한 가지 해결책은 Rolin에 의해 보고된 van der Pauw 기반의 four-point 측정법을 활용하는 것이다[1].<br /> <br /> <strong>** 원문은 파일 다운받기를 해주세요 :-)</strong><br /> |
