| 초록 |
- 디스플레이용 산화물 반도체 개발을 위해, 재현성이 우수한 원자층증착법 기반의 n형 및 p형 반도성 소재 및 소자를 개발하였으며, 원재료인 전구체 개발부터 소자 기술에 이르는 전주기적인 범위의 연구를 유기적으로 수행함. - 7종의 신규 Sn 전구체를 개발하였으며, In, Sn, Cu 등 전구체의 대량 합성 기술을 개발함. - 두 가지의 신규 In 전구체 및 신규 Sn 전구체, Cu 전구체를 이용하여 ALD 거동 및 ALD 공정 윈도우를 확보함. - 개발된 전구체를 바탕으로 SnO x , In 2 O 3 , ZnO 등 물질의 삼성분계 및 사성분계 박막의 n형 박막 소재 및 우수한 트랜지스터 물성을 확보함. - 높은 정류비를 가지며, 우수한 전계이동도를 갖는 p형 산화물 트랜지스터 개발함. - n형 및 p형 산화물 트랜지스터 기술로부터 inverter를 제작함. - 두 기관간의 유기적인 공동 연구를 바탕으로 향후 창의형융합연구사업으로 연계하여 본 연구 내용을 확장하여 활용할 계획임. (출처 : 보고서 요약서 3p) |
